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06
2023
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納米二氧化硅在電子封裝材料中的應(yīng)用
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行業(yè)新聞
在電子封裝材料中的應(yīng)用 高純球形納米SiO2作為一種新型緊缺礦物材料，由于其具有高介電、高耐熱、高耐濕、高填充量、低膨脹、低應(yīng)力、低雜質(zhì)、低摩擦系數(shù)等優(yōu)越性能，在電子、電器等諸多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，是大規(guī)模集成電路封裝所必需的主要原材料。 目前，國(guó)內(nèi)外的電子封裝材料大多為高聚物，其中，采用的是填充70%~90%高純球形納米二氧化硅粉的環(huán)氧樹(shù)脂。環(huán)氧樹(shù)脂的高吸水率和粘度限制了它在規(guī)模集成電路中的應(yīng)用，可以向環(huán)氧樹(shù)脂中添加大量二氧化硅微粉，這樣可降低塑封料的熱膨脹系數(shù)、吸水率、內(nèi)部應(yīng)力、收縮率和改善熱導(dǎo)率。
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